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SAT8-BXSJ18/F8R電容式接近開關注意事項
  • 發(fā)布日期:2022-08-31      瀏覽次數(shù):1420
    •   SAT8-BXSJ18/F8R電容式接近開關
       
        一、詳細介紹
       
        電容式接近開關SAT8-BXSJ18/F8R的測量通常是構成電容器的一個極板,而另一個極板是開關的外殼。這個外殼在測量過程中通常是接地或與設備的機殼相連接。當有物體移向接近開關時,不論它是否為導體,由于它的接近,總要使電容的介電常數(shù)發(fā)生變化,從而使電容量發(fā)生變化,使得和測量頭相連的電路狀態(tài)也隨之發(fā)生變化,由此便可控制開關的接通或斷開。這種接近開關檢測的對象,不限于導體,可以絕緣的液體或粉狀物等。
       
        二、SAT8-BXSJ18/F8R電容式接近開關注意事項
       
        1:電容式接近開關理論上可以檢測任何物體,當檢測過高介電常數(shù)物體時,檢測距離要明顯減小,這時即使增加靈敏度也起不到效果。
       
        2:電容式接近開關的接通時間為50ms,所以在用戶產(chǎn)品的設計中,當負載和接近開關采用不同電源時,務必先接通接近開關的電源。
       
        3: 當使用感性負載(如燈、電動機等)時,其瞬態(tài)沖擊電流較大,可能劣化或損壞交流二線的電容式接近開關,在這種情況下,請經(jīng)過交流繼電器作為負載來轉(zhuǎn)換使用。
       
        4: 請勿將接近開關置于200Gauss以上的直流磁場環(huán)境下使用,以免造成誤動作。
       
        5:DC二線的接近開關具有0.5-1mA的靜態(tài)泄漏電流,在和一些對DC二線接近開關泄漏電流要求較高的場合下盡量使用DC三線的接近開關。
       
        6:避免接近開關在化學溶劑,特別是在強酸,強堿的環(huán)境下使用。
       
        7:本廠產(chǎn)品均為SMD工藝生產(chǎn)制造,并經(jīng)嚴格的測試合格后才出廠,在一般情況下使用均不會出現(xiàn)損壞。為了保證意外性發(fā)生,請用戶在接通電源前檢查接線是否正確,核定電壓是否為額定值。
       
        8: 為了使電容式接近開關長期穩(wěn)定工作,由于其受潮濕、灰塵等因素的影響比較大,請務必進行定期的維護,包括檢測物體和接近開關的安裝位置是否有移動或松動,接線和連接部位是否接觸不良,是否有粉塵粘附。
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